场效应晶体管放大器是电压控制器件，具有输入阻抗高、噪声低的优点，被广泛应用在电子电路中，特别是具有上述要求前级放大器显示器出越性。根据场效应管两大类型...
臭氧消毒器 六
接线图
2024年02月20日 20:55 79
admin
电路工作原理
该臭氧消毒器电路由电源电路、振荡器和臭氧发生器电路组成，如图9-103所示。
电源电路由定时器Q、电容器Cl、C2、电阻器Rl、稳压二极管VS和整流二极管VD组成。
振荡器电路包括低频振荡器和高频振荡器。低频振荡器电路由与非门集成电路IC(D1-D4)内部的Dl、D2、电阻器R3、R4、电容器C组成;高频振荡器由与非门D3、D4和电阻器R5、R6、电容器C4组成。
臭氧发生器电路由电阻器R7、晶体管V、升压变压器T和臭氧管VG组成。
接通定时器Q，交流220V电压经Cl降压、VS稳压、VD整流和C2滤波后，产生+6V工作电压，供给IC和臭氧发生器电路。
低频振荡器振荡工作后，对高频振荡器进行脉冲调制，调制后的脉冲信号经R7加至V的基极，便V间歇导通，在T的二次绕组上产生脉冲高压，VG在高频高电压的作用下产生臭氧。
当定时时间结束时，Q的控制触头断开，将整机的工作电源断开。
元器件选择
Rl-R7选用1/4W金属膜电阻器或碳膜电阻器。
Cl选用耐压值为450V的CBB电容器;C2选用耐压值为16V的铝电解电容器;C3选用独石电容器;C4选用高频瓷介电容器或小型高频CBB电容器。
VD选用1N4007型硅整流二极管。
VS选用lW、6.8V的硅稳压二极管，例如1N4736等型号。
V选用DD03型硅NPN晶体管。
IC选用CD401l或CC4011型四与非门集成电路。
T选用达华通用密封式高压变压器。
VG选用T90型双极臭氧管。
Q选用0-6Omin的机械式定时器。
该臭氧消毒器电路由电源电路、振荡器和臭氧发生器电路组成，如图9-103所示。
电源电路由定时器Q、电容器Cl、C2、电阻器Rl、稳压二极管VS和整流二极管VD组成。
振荡器电路包括低频振荡器和高频振荡器。低频振荡器电路由与非门集成电路IC(D1-D4)内部的Dl、D2、电阻器R3、R4、电容器C组成;高频振荡器由与非门D3、D4和电阻器R5、R6、电容器C4组成。
臭氧发生器电路由电阻器R7、晶体管V、升压变压器T和臭氧管VG组成。
接通定时器Q，交流220V电压经Cl降压、VS稳压、VD整流和C2滤波后，产生+6V工作电压，供给IC和臭氧发生器电路。
低频振荡器振荡工作后，对高频振荡器进行脉冲调制，调制后的脉冲信号经R7加至V的基极，便V间歇导通，在T的二次绕组上产生脉冲高压，VG在高频高电压的作用下产生臭氧。
当定时时间结束时，Q的控制触头断开，将整机的工作电源断开。
元器件选择
Rl-R7选用1/4W金属膜电阻器或碳膜电阻器。
Cl选用耐压值为450V的CBB电容器;C2选用耐压值为16V的铝电解电容器;C3选用独石电容器;C4选用高频瓷介电容器或小型高频CBB电容器。
VD选用1N4007型硅整流二极管。
VS选用lW、6.8V的硅稳压二极管，例如1N4736等型号。
V选用DD03型硅NPN晶体管。
IC选用CD401l或CC4011型四与非门集成电路。
T选用达华通用密封式高压变压器。
VG选用T90型双极臭氧管。
Q选用0-6Omin的机械式定时器。
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